- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11512 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11512
Brevets de cette classe: 26
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
6 |
| Intel Corporation | 45621 |
4 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1 |
| Sony Corporation | 32931 |
1 |
| Toshiba Corporation | 12017 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
1 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
1 |
| Fudan University | 585 |
1 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
1 |
| Kilopass Technology, Inc. | 17 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
1 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 1602 |
1 |
| TC Lab, Inc. | 31 |
1 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
1 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
1 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |